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更新時(shí)間：2023-10-31 
瀏覽次數(shù)：535干擾 米 IMS5420-TH
高精度硅晶圓厚度測(cè)量
IMS5420是一種高性能白光干涉儀,用于單晶硅片的非接觸厚度測(cè)量。該控制器有一個(gè)寬帶超發(fā)光二極管(雪橇)的波長(zhǎng)范圍為1100納米。這使得不摻雜、摻雜和高摻雜硅晶圓片的厚度測(cè)量?jī)H有一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)。IMS5420的信號(hào)穩(wěn)定性小于1納米。厚度可以測(cè)量在24毫米的距離
不摻雜、摻雜和高摻雜晶圓的納米精密厚度測(cè)量
多峰:獲取最多5層,硅厚度0.05至1.05毫米
1納米z軸的高分辨率
由于硅晶圓在1.100納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光學(xué)透明度,使IMS5420干涉儀能夠精確地檢測(cè)到其厚度。在這個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi),不摻雜硅和摻雜晶圓都提供了足夠的透明度。因此,晶圓厚度可檢測(cè)到1.05毫米以下。氣隙的可測(cè)量厚度甚至高達(dá)4毫米.
IMS5420干涉儀能夠測(cè)量不摻雜、摻雜和高摻雜硅晶圓片的厚度,因此提供了廣泛的應(yīng)用。該晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)是一種理想的單晶硅晶圓片的測(cè)量,其幾何厚度為500~1050公分米,摻雜量最高可達(dá)6米。即使是高摻雜的晶圓,厚度也可測(cè)量到0.8毫米。這是因?yàn)樵絹?lái)越多的導(dǎo)致透明度下降。
在晶圓制造中,晶硅錠被切成大約1毫米的薄片。然后,將光盤(pán)磨碎,并將其折疊,以獲得所需的厚度和表面光潔度。為了實(shí)現(xiàn)高的工藝穩(wěn)定性,干涉儀被用來(lái)在磨床和研磨機(jī)中進(jìn)行內(nèi)線厚度測(cè)量。由于設(shè)計(jì)緊湊,傳感器也可以集成在受限的安裝空間中.厚度值用于機(jī)器控制和晶圓的質(zhì)量控制。
| 模型 | 測(cè)量范圍/ 測(cè)量范圍的開(kāi)始 | 線性 | 可測(cè)量層數(shù) | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
| IMS5420-TH24 | 0.05 ... 1.05 mm (for silicon, n=3.82) 0.2...4毫米(空氣,n=1)/約24毫米,工作范圍約為24毫米。6毫米 | < ±100 nm | 1層 | 內(nèi)聯(lián)厚度測(cè)量,例如。磨后或拋光后。 |
| IMS5420MP-TH24 | 單層的?100納米 用于額外層的 | 多達(dá)5層 | 內(nèi)聯(lián)厚度測(cè)量,例如。用于涂層后涂層厚度的質(zhì)量控制 | |
| IMS5420/IP67-TH24 | < ±100 nm | 1層 | 工業(yè)線厚度的測(cè)量 |
該控制器提供諸如以太網(wǎng)、以太貓和RS422等集成接口,以及額外的編碼器連接、模擬輸出、同步輸入和數(shù)字I/OS。當(dāng)你使用微型EPELIN的接口模塊時(shí),就可以使用普羅菲內(nèi)特和醚頭。這使干涉儀能夠被整合到所有的控制系統(tǒng)和生產(chǎn)程序中
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快速測(cè)量最高可達(dá)6千赫茲的測(cè)量率
以太網(wǎng)/以太網(wǎng)/RS422/以太網(wǎng)/IP
通過(guò)Web接口容易參數(shù)化
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